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据报道，东京电子在熊本县举行了半导体制造设备新研发大楼的竣工仪式，该大楼将主要用于研发公司在前段制程中占据领先地位的核心设备。东京电子将与半导体厂商等客户展开合作，共同开发下一代1nm半导体技术。在巩固当前市场垄断地位的同时，助力人工智能（AI）性能提升。
投资470亿日元，研发能力提升4倍
东京电子新研发大楼总投资额达470亿日元，为地上4层建筑，总建筑面积约2.7万平方米，计划于2026年春季投入使用。东京电子九州公司涉足Shinichi Hayashi表示：“我们的目标是开发面向1nm及更先进技术的设备。”新设施将使TEL在熊本的开发能力提升四倍，中心将配备空调等设备，并建设一个仿照最新芯片工厂的洁净室。
值得一提的是，新研发中心启用将使得东京电子在熊本的研发能力将提升至以往的 4 倍。未来，该公司将引入空调设备等，打造模拟最新半导体工厂环境的洁净室。届时将联合客户半导体厂商，开展半导体制造演示及新设备评估工作，推动技术直至实用阶段。
聚焦核心设备：涂胶显影设备
在半导体制造核心 “前道工序” 中，东京电子在成膜、涂胶显影、蚀刻、清洗这4个环节的设备市场份额均位居第一或前列。东京电子虽以丰富的产品线为优势，但在用于集成电路的蚀刻设备等领域，市场竞争正不断加剧。因此，东京电子计划通过提升研发能力，巩固涂胶显影设备的稳固地位，并借此推动在蚀刻等领域实现业绩反弹。
因此，东京电子在熊本工厂主要研发、制造用于在半导体晶圆上涂抹感光材料（光刻胶）的涂胶显影设备。这类设备用于光刻的前后环节，在尖端领域处于无竞争对手的垄断状态。东京电子的涂胶显影设备优势在于能将感光材料及显影液均匀涂抹在高速旋转的晶圆上。要提高半导体的良品率，必须维持高精度，该设备是微细化技术中不可或缺的一环。
值得注意的是，当前东京电子业绩呈现增速放缓趋势。受客户调整投资计划、中国市场半导体制造设备销量下滑等因素影响，在2026年3月财年的最终利润预期较初始预期大幅下调。不过，东京电子对中长期AI需求增长的判断未发生改变，仍计划持续推进成长型投资，拟在截至2029年3月的5年间，投入超过1.5万亿日元的研发费用，较过去5年增长90%。
瞄准1nm级芯片设备
台积电计划在2025年内量产的2纳米制程产品，并将在2028年启动1.4纳米制程的量产。业界认为，1 纳米及以下制程的半导体将在2030年后普及。这将使得单芯片上能够集成更多晶体管（半导体元件），有望进一步提升生成式AI的反应速度及自动驾驶的行驶精度。
过去，“摩尔定律”一直是半导体微缩的发展指南，但目前该定律已接近物理极限。东京电子正与全球唯一生产最尖端EUV光刻设备的荷ASML公司，以及比利时国际研发机构imec展开合作，共同挑战这一技术极限。
除熊本外，东京电子还在海外客户工厂附近设立了研发基地，与半导体厂商保持紧密合作，公司已着眼于10至15年后的四代技术，同步推进多代际研发工作。通过及时掌握客户需求及研发动向，东京电子能够确保客户持续采用自家设备。
随着半导体微细化程度提高，制造工序愈发复杂，所需化学药剂也随之增多。未来，东京电子将精进设备在药剂、水资源减量使用及节能等方面的环保技术，助力降低尖端半导体的制造成本。
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